含镁橄榄石－C的MgO－SiC－C质耐火材料及其制备方法

申请(专利)号: CN200810048349.7

本发明涉及一种含镁橄榄石-C的MgO-SiC-C质耐火材料及其制备方法。所采用的技术方案是：先将25～40wt%的3～1mm镁砂颗粒、20～35wt%的1～0mm镁砂颗粒、5～40wt%的镁橄榄石-C混合细粉和0～35wt%的镁砂细粉混合，外加上述混合料4～10wt%的结合剂，搅拌或混碾10～30分钟，压制成型后干燥;然后在还原气氛下烧结，烧结温度为1450～1700℃，保温时间为4～8小时，制得MgO-SiC-C质复合耐火材料。本发明加入镁橄榄石和炭所制备的MgO-SiC-C质耐火材料不仅可以解决镁砂资源紧张问题，降低生产成本，且在高温下镁橄榄石与C反应生成的SiC能加强材料内部的结合作用，有利于提高耐火材料的性能。本发明同时还可采用低品位镁砂。

 

申请日: 2008.07.10

公开(公告)号: CN101328070

公开(公告)日: 2008.12.24

主分类号: C04B35/66(2006.01)

分类号: C04B35/66(2006.01)

申请(专利权)人: 武汉科技大学

地址: 430081湖北省武汉市青山区建设一路

国省代码: 湖北;42

发明(设计)人: 祝洪喜;邓承继;白晨

专利代理机构: 武汉开元专利代理有限责任公司

代理人: 樊戎