10亿元成“标配”？碳化硅项目纷落地国内势力渐成

第三代半导体近年来备受关注，主要聚焦于碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)第三代半导体“双雄”。

随着半导体器件应用领域不断扩大，特别是特殊场合要求半导体能够在高温、强辐射、大功率等环境下依然坚挺，第一、二代半导体材料略显无力，第三代半导体材料——宽禁带半导体材料被寄予厚望。

Yole预测到2023年碳化硅功率半导体市场规模将达14亿美元，2023年碳化硅外延片销售将成长至500,000片/年。

受益于整个半导体行业宏观政策利好、资本市场追捧、地方积极推进、企业广泛进入等积极因素，国内第三代半导体产业推进较为迅速，仅2019年就有超过6个SiC相关项目签约落地。

泰科天润6英寸半导体碳化硅电力电子器件生产线项目

2019年3月29日，由泰科天润半导体科技(北京)有限公司投资建设的6寸半导体碳化硅电力电子器件生产线项目正式签约落户九江经开区。

该项目总投资10亿元，规划生产能力达到6万片/年，项目满产后，预计可实现年产值10.5亿元。据当时九江新闻网报道，该项目将建成国内首条国际先进水平的SiC功率器件生产线，填补九江乃至江西省半导体功率器件的空白。

据悉，泰科天润是国内第一家致力于第三代半导体材料SiC电力电子器件制造的高新技术企业，总部坐落于中国北京中关村，在北京拥有一座完整的半导体工艺晶圆厂，可在4英寸SiC晶圆上实现半导体功率器件的制造工艺。

百识第三代半导体项目

2019年6月18日，南京百识半导体股份有限公司第三代半导体项目正式落户南京浦口经济开发区。

据浦口经开区官微消息，百识第三代半导体项目总投资10亿元，项目计划在浦口经开区投资建设研发中心及生产线，整合海外创新技术与国内产业资源，对第三代半导体碳化硅和氮化镓外延片设计和管件制程等进行研发，产品可广泛应用于信息、新能源发电、新能源汽车、无人驾驶、轨道交通和智能电网等领域。计划项目投产后可实现年产值7亿元。

值得注意的是，在该项目签约落地后，南京百识电子科技有限公司成立。

据和利资本官方消息，和利资本天使轮领投南京百识电子，百识电子生产碳化硅及氮化镓相关外延片，包含GaN on Silicon、GaN on Sic以及SiC on SiC，涵盖功率以及射频微波等应用。核心团队来自亚洲现有第三代半导体外延片领先的供货商，熟悉市场及客户不同产品需求与痛点，产业上游供应链及下游客户渠道畅通，实际量产经验超过5万片晶圆，具备外延片物理规格与器件特性连结经验，更能提供制程加值服务强化外延片产品与客户竞争力。

百识电子CEO宣融曾表示，核心团队虽然年轻，但已经是台湾第三代半导体市场的领军团队，彼此合作多年默契十足。我们不止提供高质量的外延片，还针对客户所需的器件特性给予专业的外延及制程建议，可大幅度提高客户的产品良率及性能，及时上市。

中科钢研先进晶体产业化项目

2019年9月5日，中科钢研先进晶体产业化项目签约落地上海宝山区。

据中科钢研官方消息，通过此次与宝山区的合作，拟将在科研水平、产业规模、上下游产业链完整性、产业示范引领作用方面打造领先优势，建设以上海总部基地为核心，拥有国内外多个碳化硅晶体材料、碳化硅微粉、碳化硅电子电力芯片生产基地。

博蓝特第三代半导体材料研发项目

2019年12月2日，浙江博蓝特半导体科技股份有限公司与浙江金华开发区签署项目投资协议，博蓝特计划投资10亿元，在开发区建设年产15万片第三代半导体碳化硅衬底及年产200万片用于Mini/Micro-LED显示技术的大尺寸蓝宝石衬底研发及产业化项目。

据悉，浙江博蓝特半导体科技股份有限公司长期致力于GaN基LED芯片(图形化)衬底及新型半导体材料的研发、生产和销售。

而新签约的项目，则发力碳化硅衬底领域。

华大半导体宽禁带半导体材料项目

2019年12月12日，宁波杭州湾新区与中国电子信息产业集团有限公司全资子公司——华大半导体有限公司完成宽禁带半导体材料项目签约。

该项目总投资10.5亿元，计划年产8万片4-6英寸碳化硅衬底及外延片、碳化硅基氮化镓外延片，产品可广泛应用于5G通讯、新能源汽车、轨道交通、智能电网等领域。该项目的签约对新区抢占下一代信息技术制高点具有较大发展意义。

据宁波杭州湾新区发布报道，该项目系浙江省首个第三代半导体材料项目。

华大半导体是中国电子信息产业集团有限公司(CEC)整合旗下集成电路企业而组建的专业子集团。覆盖了集成电路设计、制造、封测及应用全产业链，公司连续多年位居中国十大集成电路设计企业前列。

中德第三代半导体材料项目

2019年12月16日，中德第三代半导体材料联合研究院等四个项目签约落户西安泾河新城。

据悉，中德第三代半导体材料项目是由留德人员发起，联合欧盟第三代半导体实验室和西北工业大学理学院、南京大学微电子学院、西安电子科技大学等国内外研究机构和知名专家，研发团队的技术水平为国际领先，可以较高成功率稳定产出4英寸和6英寸SiC单晶晶圆，未来该技术发展方向为大尺寸SiC单晶制备生产批量成熟技术和前沿半导体技术。该成果可广泛应用于新能源车、太阳能风能、电力电子、高铁、电源、雷达、5G通信、航空航天、机器人等高精尖领域。

从透露的项目投资额度来看，这些项目大多在10亿元左右。

在SiC方面，还有一些企业值得关注，例如山东天岳、天科合达。

山东天岳成立于2010年11月，是以碳化硅半导体衬底材料为主的高新技术企业，投资建成了第三代半导体材料产业化基地。山东天岳公司是国家工信部主管下的中国宽禁带半导体产业联盟理事长单位，是中国战略性新兴产业企业理事联盟副理事长单位，拥有“碳化硅半导体材料研发技术国家地方联合工程研究中心”、国家级博士后科研工作站等国家平台和2个省级研发平台。2019年8月，华为通过哈勃投资入股山东天岳先进材料科技有限公司，持股10%。

北京天科合达半导体股份有限公司于2006年9月由新疆天富集团、中国科学院物理研究所共同设立，是一家专业从事第三代半导体碳化硅(SiC)晶片研发、生产和销售的企业，为全球SiC晶片的主要生产商之一，拥有一个研发中心和一个集晶体生长-晶体加工-晶片加工-清洗检测的全套碳化硅晶片生产基地。